真实自回避行走中晶体生长界面结构的分形行为

• 作者: 刘宁强 刘永顺 彭年 聂保锋
• 来源期刊: 岩石矿物学杂志
• 学科: 物理学
• 关键词: 真实自回避行走 Koch曲线 分形维数 重整化 晶体生长
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 449-452
• 页数: 4页
• 分类号: O781
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6524.2007.05.008

摘要

晶体生长过程实际上就是生长基元从周围环境中不断地通过界面而进入晶格座位的过程.一般认为,研究生长基元以何种方式以及如何通过界面进入晶格座位是晶体生长界面结构研究中的关键.在生长基元以分子或者原子的微粒子形式在生长环境中进行无规游走的前提下,本文运用真实自回避行走(TSAW)模型,通过重整化群思想来研究晶体生长界面结构的分形行为.研究发现:晶体生长界面结构的分形行为与生长基元的游走路径形态密切相关,并且在理想状况下真实自回避行走与标准Koch曲线的分形维极为接近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永顺	首都师范大学资源环境与旅游学院	31	229	8.0	14.0
2	聂保锋	中国地质大学地球科学与资源学院	11	85	6.0	8.0
3	彭年	首都师范大学资源环境与旅游学院	16	45	4.0	6.0
4	刘宁强	中国地质大学地球科学与资源学院	5	3	1.0	1.0