CVD-W晶粒取向和晶界结构的EBSD研究

• 作者: 候岳翔 孙红婵 李树奎 郭伟 鲁旭东
• 来源期刊: 中国体视学与图像分析
• 学科: 工学
• 关键词: 晶粒取向 晶界结构 CVD EBSD
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 286-288
• 页数: 3页
• 分类号: TG115.23
• 字数: 1167字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1482.2007.04.013

摘要

采用电子背散射衍射技术(EBSD)测定了化学气相沉积纯钨(CVD-W)的晶粒取向和晶界分布特征,研究化学气相沉积方法制备纯钨的组织和晶界结构的特点.测试结果表明:CVD-W生长组织具有三个生长区,分别是等轴晶区、混合生长晶区和柱状晶区;柱状晶区的晶粒具有显著的〈001〉择优生长;低∑CSL晶界占据较大比例,其中以∑3、∑5为主要结构,∑3的出现频率最大.研究认为CVD-W的晶粒取向和晶界结构特点与沉积组织的生长特点密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李树奎	北京理工大学材料科学与工程学院	129	837	14.0	20.0
2	郭伟	北京理工大学材料科学与工程学院	15	117	6.0	10.0
3	孙红婵	北京理工大学材料科学与工程学院	5	37	3.0	5.0
4	鲁旭东	北京理工大学材料科学与工程学院	3	22	3.0	3.0
5	候岳翔	北京理工大学材料科学与工程学院	1	12	1.0	1.0