CMOS兼容的ISFET传感器模型和测量电路研究

• 作者: 刘高平 尹湘源 王阳 郭锋
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: ISFET传感器 CMOS工艺 pH值 测量电路
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 19-20,24
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 1102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2007.02.006

摘要

随着CMOS工艺的不断发展,将离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器与CMOS技术相结合,以达到提高集成度、降低成本、减小系统尺寸、提高系统可靠性.在对与CMOS工艺兼容的ISFET传感器结构模型分析的基础上,研究了一种测量电路,它具有有利于消除体效应的影响、减少共模噪声的影响、克服温度漂移等优点.对该测量电路进行模拟仿真,得到输出电压与pH值之间的关系图,结果表明:其结果与理论模型仿真值基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳	浙江万里学院电信学院	20	58	5.0	6.0
2	尹湘源	浙江万里学院电信学院	7	47	3.0	6.0
3	刘高平	浙江万里学院电信学院	26	127	6.0	10.0
4	郭锋	浙江万里学院电信学院	14	32	4.0	5.0