铜在含碘酸钾的CeO2浆料中CMP的抛光速率及影响因素的研究

• 作者: 周雪珍 李永绣 胡建东
• 来源期刊: 有色金属(冶炼部分)
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 CMP CeO2 抛光速率 影响因素
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与设备
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.1+1
• 字数: 1987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7545.2007.04.017

摘要

研究了氧化剂碘酸钾及抛光粒子CeO2的浓度、抛光转速和抛光压力对铜的化学机械抛光速率的影响,并初步解释了影响因素的机理.实验表明在一定范围内材料的去除速率与抛光压力、抛光转速的关系可以用Preston方程的一般式R=KPαVβ来表示,并据此可得到α,β和K的值;而氧化剂和抛光粉浓度对抛光速率的影响无明确的规律.在0.2 mol/L KIO3+5%CeO2、压力11.703 kPa、转速25 r/min的条件下,铜去除速率为43.9 nm/min,抛光效果Ra=10.9 nm,Rmax=112 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永绣	南昌大学材料科学与工程学院	108	1296	19.0	31.0
5	周雪珍	南昌大学材料科学与工程学院	34	360	12.0	18.0
6	胡建东	南昌大学材料科学与工程学院	14	124	7.0	11.0