Ka频段单片低噪声放大器设计

• 作者: 刘宇 杨涛 杨自强
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 高电子迁移率管 Ka频段 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 字数: 1570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-6122.2007.03.011

摘要

设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC,该芯片采用两级放大的结构,通过调节有源器件几何尺寸(栅宽和叉指数)和源极串联负反馈,减小最佳噪声匹配点(Γo)和共轭匹配点(S*11)之间的距离,使低噪声放大器同时获得最佳噪声匹配和共轭匹配.另一方面,在源极引入串联负反馈可提高放大器的稳定性.该放大器采用商用的0.18μm pHEMT工艺制造,芯片面积为1.4×0.9mm2.把该芯片安装在测试电路上进行测试,在29～33GHz频率范围内,实现增益大于10dB,30GHz处噪声系数约为2.3dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨涛	电子科技大学微波中心	50	618	10.0	24.0
2	刘宇	电子科技大学微波中心	35	195	9.0	11.0
3	杨自强	电子科技大学微波中心	19	112	7.0	9.0