Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响

• 作者: 刘英 张金娟 甄聪棉 聂向富 马丽
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: CocrTa 垂直磁记录 缓冲层 微结构
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1730-1734
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.084

摘要

利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CocrTa/(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂向富	河北师范大学物理科学与信息工程学院	30	97	5.0	8.0
2	甄聪棉	河北师范大学物理科学与信息工程学院	19	73	4.0	8.0
3	刘英	河北师范大学物理科学与信息工程学院	6	8	2.0	2.0
4	马丽	河北师范大学物理科学与信息工程学院	21	24	3.0	4.0
5	张金娟	河北师范大学物理科学与信息工程学院	2	6	1.0	2.0