硅表面电沉积MoS2薄膜及其微观摩擦性能研究

• 作者: 张旭海 江静华 蒋建清
• 来源期刊: 摩擦学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学沉积 MoS2薄膜微机电系统(MEMS) 微观摩擦性能
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 303-307
• 页数: 5页
• 分类号: TH117.3
• 字数: 2777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0595.2007.04.002

摘要

以单晶硅片为基片,采用电化学沉积工艺通过阴极还原硫代钼酸根制备MoS2薄膜,利用光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、俄歇电子能谱仪以及原子力显微镜表征薄膜结构,并研究其微观摩擦磨损性能.结果表明:所制备的薄膜为纳米/亚微米厚度,表面光滑致密,结构为非晶态,由钼、硫和氧元素构成;微米厚度的薄膜表面粗糙度增加,薄膜易开裂,结合性差;沉积MoS2薄膜的硅表面的最小摩擦力约为原始硅表面的1/2;沉积MoS2可以使硅表面的粘着能减少50%左右,从而使其微观摩擦力降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建清	东南大学材料科学与工程学院	147	1301	17.0	25.0
2	江静华	东南大学材料科学与工程学院	14	139	8.0	11.0
3	张旭海	东南大学材料科学与工程学院	25	154	8.0	11.0