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摘要:
分析大感光像素特种CCD的工艺特点及对系统整体性能参数的影响.提出满势阱光电子数与CCD阱面积A和阱深W的积有关,CCD分辨间隔取决于光电子统计涨落,大像素提高了CCD感光灵敏度和动态范围,对工艺定位要求低,可单件或少量生产,适合我国现有人员、技术、设备和资本经济实力.用DSP+CPLD、FPGA器件和VI软件制作控制器,强化系统整体配置;寻找各行各业需要、技术对路的特种CCD开展研发,实行定单生产,滚动积累开发,走差异化发展道路,是发展我国IT技术产品的策略.
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文献信息
篇名 特种CCD传感器及系统研发策略研究
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 特种CCD 系统与工艺 研究开发策略 大面积像素 高动态范围 光电子涨落
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目 物理量传感器
研究方向 页码范围 179-182
页数 4页 分类号 TP212.14
字数 4143字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.057
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 秦会斌 237 1329 17.0 25.0
2 胡建人 29 196 7.0 13.0
传播情况
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引文网络
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2007(3)
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研究主题发展历程
节点文献
特种CCD
系统与工艺
研究开发策略
大面积像素
高动态范围
光电子涨落
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
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22
总被引数(次)
16974
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