VO2晶体电子结构及其掺杂的第一性原理研究

• 作者: 崔磊 曾祥华 滕玉永 胡永金 赵江
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 态密度 能带结构 单斜晶 四方晶
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1055-1059
• 页数: 5页
• 分类号: O481.1
• 字数: 3174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2007.05.033

摘要

运用密度泛函平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对二氧化钒(VO2)两种不同晶体电子结构进行了计算.研究了低温单斜晶型和高温四方晶型结构的VO2电子态密度(DOS)和能带(energy band)结构,通过分析发现,四方晶的金属性比较明显,这是由于电子态密度和能带结构分析结果表明不同特性产生的原因是V原子的3d电子贡献不同导致的.本文中我们还将部分O原子替换为F原子后对单斜晶替位掺杂进行了的计算讨论,本文的计算结果都较好地符合实验结果,表明密度泛函平面波赝势和广义梯度近似方法可以用来描述VO2的结构和性质.我们认为,这种方法应用于描述氧化物的电子结构和性质是一种新的探索.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥华	扬州大学物理科学与技术学院	57	143	6.0	10.0
2	崔磊	扬州大学物理科学与技术学院	11	42	4.0	6.0
3	胡永金	扬州大学物理科学与技术学院	9	39	3.0	6.0
4	赵江	扬州大学物理科学与技术学院	8	34	3.0	5.0
5	滕玉永	扬州大学物理科学与技术学院	7	34	3.0	5.0