聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度浓度分布的研究

• 作者: 宋云 曹永明 曾(韋華) 王蓓 陆海纬 陈忠浩
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 聚焦离子束 无掩膜离子注入 溅射 刻蚀 离子束流 饱和剂量
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 96-99,105
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3384字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2007.01.017

摘要

随着聚焦离子束(focused ion beam, FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蓓	复旦大学材料科学系	47	311	10.0	16.0
2	曹永明	复旦大学材料科学系	14	64	4.0	7.0
3	宋云	复旦大学材料科学系	11	21	2.0	4.0
4	陆海纬	复旦大学材料科学系	4	13	2.0	3.0
5	陈忠浩	复旦大学材料科学系	4	11	1.0	3.0
6	曾(韋華)	复旦大学材料科学系	2	3	1.0	1.0