GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化

• 作者: 常本康 杜晓晴 杨智 邹继军
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs光电阴极 光谱响应曲线 电子能量分布 表面势垒 电子逸出概率
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 页码范围: 1465-1468
• 页数: 4页
• 分类号: TN223
• 字数: 2869字
• 语种: 中文

摘要

利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化.在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快.在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快.上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关.由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	邹继军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	47	244	10.0	14.0
6	杨智	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	157	8.0	12.0
7	杜晓晴	南京理工大学电子工程与光电技术学院	17	214	11.0	14.0