GaAs阴极光电发射特性

• 作者: 李凯 潘清 王汉斌 肖德鑫
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs光阴极 量子效率 氧过量YOYO激活法 寿命
• 年，卷（期）: 2013,（z1）
• 所属期刊栏目: 太赫兹技术
• 页码范围: 161-163
• 页数: 3页
• 分类号: TL53
• 字数: 2431字
• 语种: 中文

摘要

采用氧过量YOYO激活工艺对经高温清洁的砷化镓(GaAs)晶片进行激活,测量其量子效率和在激光及背景光照射下的使用寿命,得到了4.66％的量子效率；在电子枪中的实验获得了平均流强大于1 mA的束流.分析了真空度、高温清洁温度、铯氧激活工艺等因素对GaAs光阴极初始量子效率和使用寿命的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘清	中国工程物理研究院应用电子学研究所	6	20	3.0	4.0
2	肖德鑫	中国工程物理研究院应用电子学研究所	11	15	2.0	3.0
3	李凯	中国工程物理研究院应用电子学研究所	14	36	3.0	5.0
4	王汉斌	中国工程物理研究院应用电子学研究所	15	43	5.0	6.0