NEA GaN光电阴极光电发射机理研究

• 作者: 乔建良 常本康 牛军 黄大勇
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: NEA GaN 激活 量子产额 双偶极层模型
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 微光技术
• 页码范围: 611-614
• 页数: 4页
• 分类号: TN219
• 字数: 3190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.10.014

摘要

围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理.实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.根据Spicer光电发射理论,给出了反射模式NEA GaN光电阴极量子产额理论公式,激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因可以用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:Cs-O解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	黄大勇	南阳理工学院电子与电气工程系	15	123	6.0	11.0
3	乔建良	南阳理工学院电子与电气工程系	26	177	9.0	11.0
7	牛军	南阳理工学院电子与电气工程系	28	111	6.0	9.0