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摘要:
针对NEA GaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题,结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素,采用理论和实验相结合的方法,分别研究了GaN光电阴极材料的表面反射率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数.结果表明在250 nm到365 nm的波长范围内,表面反射率相对平稳,是影响量子效率的直接因素,而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接影响着量子效率.给出了均匀掺杂GaN光电阴极的光谱吸收系数的特点,根据变掺杂NEA GaN光电阴极的结构特点,给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式,并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN光电阴极光谱吸收系数进行了对比.
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文献信息
篇名 NEA GaN光电阴极材料光学特性研究
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 GaN 光电阴极 量子效率 变掺杂 光谱吸收系数
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目 微光技术
研究方向 页码范围 664-668
页数 5页 分类号 TN304
字数 3564字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 常本康 南京理工大学电子工程与光电技术学院 234 2020 19.0 30.0
2 高有堂 南阳理工学院电子与电气工程学院 30 78 5.0 7.0
3 乔建良 南阳理工学院电子与电气工程学院 34 217 10.0 13.0
4 牛军 南阳理工学院电子与电气工程学院 28 111 6.0 9.0
5 徐源 南京理工大学电子工程与光电技术学院 11 23 3.0 4.0
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GaN
光电阴极
量子效率
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光谱吸收系数
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
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13
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30858
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