近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究*

• 作者: 常本康* 徐源 王晓晖 赵静 郝广辉 金睦淳 陈鑫龙
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 反射式GaN 势垒 最小二乘法 后界面缺陷
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 446-450
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.097901

摘要

为了深入理解近紫外波段NEA GaN阴极的光谱响应特性,在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验,并在线测试样品光谱响应.利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25-0.35μm之间的阴极响应量子效率实验数据进行拟合,分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率,并使用量子效率公式对入射光波长为0.35μm时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真.结果表明,后界面复合速率和直线L的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能,当GaN阴极后界面复合速率小于105 cm/s,发射层的厚度取0.174-0.212μm时,阴极光谱响应性能最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
2	赵静	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	53	5.0	7.0
3	徐源	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	23	3.0	4.0
4	郝广辉	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	12	2.0	2.0
5	常本康*	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	12	2.0	2.0
6	陈鑫龙	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	12	2.0	2.0
7	金睦淳	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	12	2.0	2.0