Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极智能激活测试系统设计及应用研究

• 作者: 张益军 王晓晖 高频 黄怀琪
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电阴极 负电子亲和势 铯氧激活 光谱响应
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 微光技术
• 页码范围: 721-725
• 分类号: TN223
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.12.010

摘要

Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势(NEA)光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理平台.它的亮点在于:在该系统上不但能完成GaAs NEA光电阴极激活,而且能进行GaN NEA.光电阴极激活的研究.其使用波长范围已从初级研究的400～1000nm延展到了200～1000nm,即从红外延伸到紫外区域,所能制备的材料也从第二代半导体材料扩大到了第三代半导体及新型半导体材料.在线实时测试信息量更丰富、更智能、自动化程度更高,是Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极制备、测控、数据采集与处理、表征的新一代系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高频	南京理工大学电子工程与光电技术学院	12	88	6.0	9.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	张益军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	105	6.0	8.0
4	黄怀琪	南京理工大学电子工程与光电技术学院	1	1	1.0	1.0