热退火对GaN阴极光电发射性能的影响

• 作者: 任艺 常本康 李飙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 光电子器件 光谱响应 光电发射 光电阴极 氮化镓 退火
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: O433|TN205
• 字数: 2008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.01.005

摘要

热退火不但可以减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容,改善材料的结晶属性,而且可以改善样品的表面质量,对提高样品的光谱响应是一种有力的手段.对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理,使样品的性能得到了改善,最优条件下样品的暗电流为200 pA,电阻率为1.6Ω·cm,最大光谱响应为0.19 A/W.依据光谱响应作为评估标准,可以得出,采用700℃热退火10 min制备出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	任艺	商丘职业技术学院机电系	22	52	4.0	6.0
3	李飙	商丘师范学院电子电气工程学院	7	8	1.0	2.0