阴极耦合层对顶发射白光OLED器件光电性能影响

• 作者: 周芳 张杰 施梅 杨丽丽 杨炜平 武艳鸣 段瑜 段良飞 王光华 王灿 郑晓东 陈雪梅 高思博
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 有机发光器件 顶部发光 转移矩阵 光萃取
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 422-429
• 页数: 8页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20203505.04222

摘要

为了研究不同厚度C60阴极耦合层对顶发射白光OLED器件光电性能的影响,实验数值计算了半透明阴极组成的多层膜系(ETL/EIL/Mg∶Ag/C60)的透过率;同时,采用共阴极结构设计制备了顶发射白光OLED器件,并对不同厚度的C60折射率匹配层制备的顶发射白光OLED器件的光电特性进行了研究.结果 表明,不同C60厚度的多层膜系透过率差异较大,在C60膜层厚度为30～40 nm时,多层膜在较宽波段范围内均有高的透过率,且透过率光谱的色坐标最接近白光等能点;通过分析不同阴极耦合层制备的顶部发光OLED器件的光电性能,发现采用适当厚度的C60阴极耦合层材料,可以有效提高器件外量子效率,并在一定程度上能够有效改善器件的色坐标,实现接近等能白光的顶发光OLED器件制备.