乙烯基修饰的微孔二氧化硅膜孔结构与疏水性研究

• 作者: 于春晓 李群艳 王艳丽 聂祚仁 韦奇
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化硅膜 乙烯基 孔结构 疏水性能 溶胶-凝胶法
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 949-953
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.034

摘要

在溶胶-凝胶反应过程中,用乙烯基三乙氧基硅烷(TEVS)代替部分正硅酸乙酯(TEOS),通过两者共水解缩合反应制备乙烯基修饰的SiO2膜,并通过BET、TG、NMR、以及接触角测量仪对所制备的材料进行表征.结果表明:修饰后的二氧化硅膜仍保持微孔结构,且孔径集中分布在0.5～0.7 nm之间.由于部分亲水表面羟基被疏水乙烯基团所代替,乙烯基修饰的SiO2膜疏水性能得到明显提高,并且随着TEVS加入量的增加,疏水性能逐渐增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂祚仁	北京工业大学材料科学与工程学院	241	3474	28.0	46.0
2	李群艳	北京工业大学材料科学与工程学院	39	328	13.0	16.0
3	韦奇	北京工业大学材料科学与工程学院	43	383	13.0	17.0
4	王艳丽	北京工业大学材料科学与工程学院	5	56	4.0	5.0
5	于春晓	北京工业大学材料科学与工程学院	5	56	4.0	5.0