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PZT/LaNiO3/ LaAlO3结构制备及性能研究
PZT/LaNiO3/ LaAlO3结构制备及性能研究
作者:
刘劲松
张树人
张洪伟
杜善义
杨成韬
黄文
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
LaNiO3
PZT
激光脉冲沉积
射频磁控溅射
退火
摘要:
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了PZT铁电薄膜.试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500 ℃即得到(100)取向、晶化完全的PZT薄膜,而性能测试表明,600 ℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,电滞回线完全饱和而且形状对称,剩余极化和矫顽场分别为28.3 μC/cm2和54.1 kV/cm.
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(/年)
文献信息
篇名
PZT/LaNiO3/ LaAlO3结构制备及性能研究
来源期刊
压电与声光
学科
工学
关键词
LaNiO3
PZT
激光脉冲沉积
射频磁控溅射
退火
年,卷(期)
2007,(4)
所属期刊栏目
单晶、薄膜及其他功能材料
研究方向
页码范围
442-444
页数
3页
分类号
TM22
字数
1986字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-2474.2007.04.023
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杜善义
哈尔滨工业大学材料学院
217
5341
36.0
63.0
2
黄文
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
14
128
6.0
11.0
3
张树人
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
187
1176
16.0
24.0
4
杨成韬
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
67
255
8.0
12.0
5
张洪伟
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
7
77
4.0
7.0
6
刘劲松
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
2
3
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(9)
共引文献
(11)
参考文献
(9)
节点文献
引证文献
(3)
同被引文献
(3)
二级引证文献
(0)
1992(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1993(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1997(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1998(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
1999(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2000(3)
参考文献(2)
二级参考文献(1)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
LaNiO3
PZT
激光脉冲沉积
射频磁控溅射
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
压电与声光
主办单位:
四川压电与声光技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-2474
CN:
50-1091/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南岸区南坪花园路14号
邮发代号:
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
4833
总下载数(次)
4
总被引数(次)
27715
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
期刊文献
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压电与声光2007年第5期
压电与声光2007年第4期
压电与声光2007年第3期
压电与声光2007年第2期
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