单掺Rb+和Cs+的KTP晶体生长及其电导率

• 作者: 常新安 张书峰 肖卫强 臧和贵 陈学安
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺质KTP晶体 生长习性 分配系数 透过 c向电导率
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1052-1055
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.019

摘要

采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K4溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为O.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长.通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常新安	北京工业大学材料科学与工程学院	52	425	11.0	18.0
2	臧和贵	北京工业大学材料科学与工程学院	32	204	8.0	12.0
3	肖卫强	北京工业大学材料科学与工程学院	47	227	7.0	12.0
4	陈学安	北京工业大学材料科学与工程学院	26	98	6.0	8.0
5	张书峰	北京工业大学材料科学与工程学院	2	7	2.0	2.0