国产GSO晶体的光产额测量

• 作者: 张天保 李道武 王宝义 章志明 魏龙
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: GSO晶体 光产额 单光电子
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 727-729
• 页数: 3页
• 分类号: TL812
• 字数: 1348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2007.04.028

摘要

采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体在光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对137Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
2	魏龙	中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室	50	325	10.0	16.0
3	张天保	中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室	6	16	2.0	3.0
4	章志明	中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室	7	18	3.0	4.0
5	李道武	中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室	3	9	2.0	3.0