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摘要:
本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80%.
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文献信息
篇名 高温闪烁晶体GSO:Ce的生长及其光谱性质
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 硅酸钆晶体 闪烁晶体 提拉法生长 开裂 荧光光谱
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 991-994
页数 4页 分类号 O782
字数 1646字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐军 中国科学院上海光学精密机械研究所 290 2418 22.0 34.0
2 赵广军 中国科学院上海光学精密机械研究所 55 422 11.0 16.0
3 夏长泰 中国科学院上海光学精密机械研究所 19 225 8.0 14.0
4 何晓明 中国科学院上海光学精密机械研究所 19 100 7.0 9.0
5 曾雄辉 中国科学院上海光学精密机械研究所 21 118 7.0 10.0
6 介明印 中国科学院上海光学精密机械研究所 5 18 3.0 4.0
10 张连翰 中国科学院上海光学精密机械研究所 24 134 7.0 10.0
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闪烁晶体
提拉法生长
开裂
荧光光谱
研究起点
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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