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摘要:
Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.
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文献信息
篇名 高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Ce∶YAP 闪烁晶体 提拉法晶体生长 X射线激发发射谱 吸收谱
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 85-89
页数 5页 分类号 O782.5
字数 3287字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐军 中国科学院上海光学精密机械研究所 290 2418 22.0 34.0
2 赵广军 中国科学院上海光学精密机械研究所 55 422 11.0 16.0
3 李涛 中国科学院上海光学精密机械研究所 164 1585 23.0 31.0
4 何晓明 中国科学院上海光学精密机械研究所 19 100 7.0 9.0
5 潘守夔 中国科学院上海光学精密机械研究所 13 61 5.0 7.0
6 徐月泉 2 26 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ce∶YAP
闪烁晶体
提拉法晶体生长
X射线激发发射谱
吸收谱
研究起点
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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