低温铝诱导形成纳米硅的特性研究

• 作者: 刘伟 方晓玲 王建军 高斐
• 来源期刊: 陕西师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 纳米硅 铝诱导晶化 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2771字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1672-4291.2007.02.013

摘要

采用玻璃/氢化非晶硅(a-Si:H)/铝结构,在低温(≤350℃)下,应用铝诱导晶化法(AIC),形成了纳米硅(nc-Si).利用X射线衍射(XRD)光谱、拉曼(Raman)光谱和紫外可见近红外光谱(UV-Vis-NIR),研究了退火升温时间对a-Si:H薄膜的结构及其光学特性的影响.结果表明,随着退火升温时间的增加,a-Si:H膜的晶化率Xc增加而硅晶粒尺寸基本不变,光吸收系数a增加.这主要是由于铝和氢化非晶硅膜之间的氧化层很薄以及退火升温导Al-Si之间的互扩散增强,使硅的成核密度很高和扩散到a-Si:H膜中的铝浓度较高造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高斐	陕西师范大学物理与信息技术学院	26	39	3.0	5.0
2	刘伟	陕西师范大学物理与信息技术学院	39	292	9.0	16.0
3	方晓玲	陕西师范大学物理与信息技术学院	8	21	3.0	4.0
4	王建军	陕西师范大学物理与信息技术学院	11	30	4.0	5.0