FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

• 作者: 吴仁兵 吴玲玲 杨光义 林晶 潘颐 翟蕊 陈建军
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶须 液相法 VLS生长机理
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 97-102
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 4244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2007.05.018

摘要

在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混合层、SiC晶须层和SiC腾空薄膜.XRD分析确定所有产物均为3C-SiC;TEM和SAED分析表明,SiC晶须为3C-SiC单晶,生长方向为[111].基于上述结果,提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径,生成不同形貌SiC的反应机理:低温时(≤1500℃),Fe提高了熔体中C的饱和溶解度,以液-固(LS)反应生成SiC颗粒;较高温度时(1500～1750 ℃),借助Fe的催化作用,以气-液-固(VLS)机理生成SiC晶须;更高温度时(≥1750℃),气-液-固(VLS)变得无序,生成SiC腾空连续膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建军	浙江大学材料科学与工程系	19	75	5.0	8.0
5	潘颐	浙江大学材料科学与工程系	32	408	12.0	19.0
6	杨光义	浙江大学材料科学与工程系	8	66	5.0	8.0
7	吴玲玲	浙江大学材料科学与工程系	29	201	8.0	13.0
8	吴仁兵	浙江大学材料科学与工程系	6	35	3.0	5.0
9	林晶	浙江大学材料科学与工程系	5	42	4.0	5.0
10	翟蕊	浙江大学材料科学与工程系	4	34	3.0	4.0