低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

• 作者: 任天令 刘理天 刘鹏 叶双莉 李伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 巨磁电阻传感器 自旋阀 矫顽力 退火 单畴模型
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 物理量传感器
• 页码范围: 216-218
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.13
• 字数: 1963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.069

摘要

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片.利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120 Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2 Oe以下.同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应.利用Matlab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致.所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	刘鹏	清华大学微电子学研究所	47	601	12.0	24.0
4	李伟	清华大学微电子学研究所	88	760	15.0	23.0
5	叶双莉	清华大学微电子学研究所	3	7	2.0	2.0