高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制

• 作者: 冯士维 庄四祥 张弓长 张跃宗 杨集 王承栋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 光响应度 铟镓砷/磷化铟
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 物理量传感器
• 页码范围: 196-197,209
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 字数: 1516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.062

摘要

分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的.采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度.结果显示,器件的光谱响应范围为1000～1600 nm,在1500 nm激光的辐照下,5 V反向偏压时器件的响应度可达0.95 A/W以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张跃宗	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	105	6.0	10.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	张弓长	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	18	2.0	4.0
4	王承栋	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	31	3.0	5.0
5	庄四祥	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	8	2.0	2.0
6	杨集		1	6	1.0	1.0