半透明氮化硅陶瓷的放电等离子烧结制备及性能

• 作者: 傅正义 熊焰 王皓
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明氮化硅陶瓷 透过率 放电等离子烧结 相变
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 289-292
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2007.03.006

摘要

用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以质量分数(下同)为9%氮化铝(A1N),3%氧化镁(MgO)为烧结助剂,在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅(Si3N4)陶瓷.半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率,最大透过率为66.4%.SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构,有利于提高透过率.SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变,是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键.报道了半透明Si3N4陶瓷的其他性能.光学性能与其他性能的结合,势必大大拓宽Si3N4陶瓷的应用领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅正义	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	144	1583	22.0	32.0
2	王皓	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	77	674	15.0	21.0
3	熊焰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	17	327	10.0	17.0