高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究

• 作者: 丘泰 刘学建 张景贤 李晓云 杨建 段于森 江东亮 陈忠明 黄政仁
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅基片 流延成型 硅粉氮化 无压烧结
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷和封接工艺专辑
• 页码范围: 16-19,71
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.5
• 字数: 3136字
• 语种: 中文

摘要

以Si粉体作为起始原料,以ZrO2-Y2O3-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律.实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800℃实现氮化硅陶瓷的无压烧结,材料的密度可以达到99％以上,热导率达到72 W/m·K.