MOCVD工艺中源材料用量计算方法

• 作者: 何华云 王慧勇 胡晓宇
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 斜率 恒温浴槽 MO源 利用率 反应器
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 3842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2007.10.012

摘要

介绍了MO源和气态源实际用量的计算原理与方法,并在中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的MOCVD设备中应用;提出了提高MO源利用率、降低工艺成本的三项措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宇	中国电子科技集团公司第四十八研究所	13	56	4.0	7.0
2	何华云	中国电子科技集团公司第四十八研究所	11	38	3.0	6.0
3	王慧勇	中国电子科技集团公司第四十八研究所	7	10	2.0	3.0