适合于改善金属接触孔清洗的单晶圆工艺

• 作者: Eun-Su Rho Han-Mil Kim Jae Yong Park Jong-Kook Song Leo Archer Won Ho Cho
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶圆清洗 抗蚀剂除胶 刻蚀后清洗 金属接触孔 成品率
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 专题报道(清洗技术与设备)
• 页码范围: 12-15,30
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2007.06.004

摘要

在半导体制造流程中,晶圆清洗正在成为一种更加关键的工序模块.因为集成度的提高,需制定适合于清洗机及更高器件结构均匀性的要求.清洗的有效性最终会影响器件的性能和成品率[1-4].无论在生产线前端或后端清洗工艺中,正在受到越来越仔细检查.在金属化工艺之前,一个有意义的方面是刻蚀和灰化后期金属接触孔侧壁和底部残留物的清除.因其会导致器件失效,一种不完全接触孔清洗技术成为一种主要的业务.