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摘要:
采用自蔓燃高温合成方法(self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS)合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明:只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度(Tcom),在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%~70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响
来源期刊 硅酸盐通报 学科 工学
关键词 自蔓燃高温合成 燃烧温度 α-Si3N4 β-Si3N4
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目 专题论文
研究方向 页码范围 252-255,272
页数 5页 分类号 TQ17
字数 3248字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-1625.2007.02.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 燕东明 15 157 5.0 12.0
2 李金富 7 86 4.0 7.0
3 李康 5 27 4.0 5.0
4 段关文 5 81 4.0 5.0
5 王拥军 4 77 4.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
自蔓燃高温合成
燃烧温度
α-Si3N4
β-Si3N4
研究起点
研究来源
研究分支
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11-5440/TQ
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北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
chi
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