自蔓燃高温合成工艺参数对制备氮化硅粉体的影响

• 作者: 刘莲香 王正军
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 自蔓燃高温合成 氮化硅 工艺参数
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 颗粒制备
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2008.04.001

摘要

采用自蔓燃高温合成方法(SHS)合成氯化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等工艺参数对合成产物的影响.结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂来控制反应温度,获得高α相Si3N4含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王正军	宿迁学院计算科学系	30	152	8.0	10.0
2	刘莲香	宿迁学院计算科学系	23	95	6.0	8.0