自蔓燃高温合成氮化硅粉体的研究

• 作者: 常永威 李康 李金富 段关文 王拥军 王正军
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 自蔓燃高温合成 氮化硅粉体 反应机理
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 颗粒制备
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2006.06.004

摘要

研究了自蔓燃高温合成方法制备氯化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氯化硅过程中硅粉粒度、氯气、温度、稀释剂与孔隙率等方面对反应产物的影响,并对反应机理进行了分析.由于有添加剂氯化铵的存在,反应中不是单纯的硅粉氮化反应.只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制、中温机制、高温机制;氯气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行金属硅粉的粒度细,合成的Si3N4中α相含量高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王正军		30	152	8.0	10.0
2	李金富	中国兵器工业第五二研究所烟台分所	7	86	4.0	7.0
3	李康	中国兵器工业第五二研究所烟台分所	5	27	4.0	5.0
4	段关文	中国兵器工业第五二研究所烟台分所	5	81	4.0	5.0
5	王拥军	中国兵器工业第五二研究所烟台分所	4	77	4.0	4.0
6	常永威	中国兵器工业第五二研究所烟台分所	5	71	4.0	5.0