H+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析

• 作者: 孙真和 林国锋 高俊山
• 来源期刊: 自动化技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 器件模型 离子敏场效应晶体管 计算机辅助设计
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 仪器仪表与检测技术
• 页码范围: 106-107,79
• 页数: 3页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 1040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7241.2007.01.036

摘要

本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发,利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型.借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据取得了良好的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高俊山		49	366	10.0	17.0
2	孙真和		8	18	3.0	3.0
3	林国锋		1	2	1.0	1.0