三氧化二砷诱导NB4细胞凋亡相关基因表达改变的基因芯片研究

• 作者: 王升启 秦大兵 陈洁平
• 来源期刊: 解放军医学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 三氧化二砷 NB4细胞 细胞凋亡 基因芯片
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 496-499
• 页数: 4页
• 分类号: R34
• 字数: 3557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0577-7402.2007.05.027

摘要

目的 利用基因芯片技术研究NB4细胞经三氧化二砷(As2O3)诱导凋亡后的凋亡相关基因表达变化.方法 检索NCBI的Entrez以及Human IPI数据库,通过染色体定位来排除冗余基因,共获得1 384个凋亡相关基因.探针使用软件OligoArray 2.0设计,并作Blast比对.设计基因特异寡核苷酸探针,合成后点样,制备寡核苷酸芯片.用2μmol/L的As2O3处理NB4细胞48h后,提取细胞总RNA,分别以Cy3,Cy5标记对照组及实验组,随后与含1 384个凋亡相关基因的寡核苷酸芯片杂交,使用基因芯片扫描仪对杂交信号扫描,软件分析Cy3和Cy5两种荧光信号的强度和比值,找出经As2O3处理后出现差异表达的基因,并挑选其中差异表达最明显的4条基因,设计引物后与CNDA产物进行PCR扩增,琼脂糖凝胶电泳进行验证.结果 NB4细胞经2μmol/L As2O3作用48h后共有4个基因表达上调,12个基因表达下调,且RT-PCR验证结果与基因芯片结果完全相符.结论 As2O3可以诱导NB4细胞一系列基因表达的改变,这些涉及信号转导、转录调节、细胞周期、氧化应激、蛋白质的翻译合成及细胞分化等方面基因的差异表达,可能在NB4细胞凋亡中起着重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王升启	军事医学科学院放射与辐射研究所	315	3297	28.0	41.0