单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能

• 作者: 于彦龙 于翠艳 孙宏宇 张湘义 李伟 许涛
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: AAO模板 Ni纳米线阵列 单晶 磁性能
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 2239-2241
• 页数: 3页
• 分类号: O614|TG153.4
• 字数: 2265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2007.12.003

摘要

采用恒电流沉积方法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征.利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究.结果表明,单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向,并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力.直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104 A/m)和较高的剩磁比(Mr=0.94Ms).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	38	210	8.0	12.0
2	于彦龙	大庆石油学院应用技术学院	4	8	1.0	2.0
3	于翠艳	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	9	76	5.0	8.0
7	许涛	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	3	10	2.0	3.0
8	孙宏宇	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	2	7	1.0	2.0