等离子数字化熔射成形SOFC核心部件PEN及复阻抗分析

• 作者: 姜丛伟 张海鸥 杨云珍 王桂兰
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 等离子熔射 数字化成形 瓦楞式PEN 交流复阻抗
• 年，卷（期）: 2007,（15）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 1855-1858
• 页数: 4页
• 分类号: TB33
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132x.2007.15.023

摘要

采用等离子熔射与机器人数字化成形技术相结合的方法制备SOFC瓦楞式核心部件PEN.基于交流复阻抗技术对制备的复合电极的电导率进行分析,并与流延法和等离子熔射结合制备的试样对比;采用经典的Arrhenius公式对试样电导率与温度的关系进行定量分析.结果表明,两种工艺制备的试样的电导率均随温度的升高而增大,呈现出明显的NTC效应;与流延和等离子熔射复合的方法相比,等离子数字化熔射成形工艺因为其连续喷涂成形的特点,可以大幅度降低界面接触电阻,提高试样的电导率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王桂兰	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	207	2135	22.0	39.0
2	张海鸥	华中科技大学数字装备与制造技术国家重点实验室	212	1614	19.0	31.0
3	杨云珍	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	11	39	4.0	6.0
4	姜丛伟	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	2	9	1.0	2.0