RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象

• 作者: M. Rohwerder M. Strattman 李红蕊 王艳珍 钟庆东
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电位-电容法 Mott-Schottky分析 RTV涂膜 半导体转变 p型 n型
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 高电压新技术
• 页码范围: 85-90
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.4
• 字数: 4755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2007.12.020

摘要

为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为.研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019 m-3.随着浸泡时间的延长,RTV涂膜的导电行为从初期的p型半导体转变为绝缘体,RTV涂膜的空间电荷层电容CSC变化不大.随着测试频率的增加,RTV涂膜的CSC则逐渐减小.这一现象对RTV涂料的应用有一定指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王艳珍	上海大学材料科学与工程学院	6	18	3.0	4.0
2	李红蕊	上海大学材料科学与工程学院	3	40	3.0	3.0