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摘要:
采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺.对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征.实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高.
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文献信息
篇名 氧化钒薄膜的制备技术及特性研究
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 氧化钒薄膜 磁控溅射 溅射电压
年,卷(期) 2007,(z1) 所属期刊栏目 光、电、磁功能材料
研究方向 页码范围 328-330,335
页数 4页 分类号 TN213
字数 3815字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.z1.099
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴志明 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 78 544 13.0 17.0
2 蒋亚东 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 318 2024 18.0 25.0
3 王涛 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 55 346 11.0 14.0
4 魏雄邦 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 18 94 6.0 8.0
5 许庆宪 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 5 1.0 1.0
6 李建峰 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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氧化钒薄膜
磁控溅射
溅射电压
研究起点
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
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