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摘要:
高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.
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关键词热度
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文献信息
篇名 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 磷化铟 铁激活 退火 半绝缘
年,卷(期) 2007,(9) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 5536-5541
页数 6页 分类号 O4
字数 5101字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.092
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邓爱红 四川大学物理学院应用物理系 26 66 5.0 6.0
2 王博 四川大学物理学院应用物理系 34 142 7.0 11.0
3 杨俊 四川大学物理学院应用物理系 29 94 6.0 8.0
4 赵有文 中国科学院半导体研究所 42 217 7.0 11.0
5 吕小红 中国科学院半导体研究所 3 8 1.0 2.0
6 董志远 中国科学院半导体研究所 25 154 7.0 11.0
7 苗杉杉 四川大学物理学院应用物理系 4 24 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
磷化铟
铁激活
退火
半绝缘
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研究来源
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物理学报
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