SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及其组分影响研究

• 作者: 俞伟钧 钱显毅 黄致新
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶薄膜 磁特性 垂直磁化 组分影响
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 549-552
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1190.2008.04.011

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了(Sm)TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究.部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性.薄膜组分为(Sm0.286 Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为330 emu/cm3,矫顽力为5.0 KOe;薄膜组分为(Sm0.343Tb0.657)31 Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为385 emu/cm3,矫顽力为4.7 KOe.薄膜组分对SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结构特性的分析得到合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄致新	华中师范大学物理科学与技术学院	104	350	10.0	14.0
2	钱显毅	常州工学院电子信息与电气工程学院	30	123	6.0	10.0
3	俞伟钧	常州工学院理学院	13	6	1.0	2.0