GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质

• 作者: 张建英 张瑞刚 李丽 杨合情 焦华 董红星 郑海荣 陈晓波
• 来源期刊: 中国科学B辑
• 关键词: GaN纳米带 纳米环 Z字结构纳米线 原位生长 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 205-217
• 页数: 13页
• 语种: 中文

摘要

在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓,在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线.利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征,结果表明,所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构,纳米带宽度在20～300 nm,长达30 μm;纳米环直径在5～8 μm;Z字结构纳米线的直径约为160 nm.研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响,提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理.从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361 nm强的紫外光发光和456 nm弱的蓝光发光,这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨合情		20	118	6.0	10.0
2	李丽		32	99	6.0	9.0
3	郑海荣		43	264	8.0	15.0
4	董红星		4	32	3.0	4.0
5	焦华		4	40	1.0	4.0
6	张瑞刚		2	0	0.0	0.0
7	陈晓波		1	0	0.0	0.0
8	张建英		1	0	0.0	0.0