自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响

• 作者: 刘鑫 刘铮铮 包杰琼 王琦
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料表面与界面 自组装单分子膜(SAMs) 末端官能团 铜薄膜 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 545-549
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 4401字
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相沉积(CVD)的方法在自组装单分子膜(SAMs)修饰的SiO2表面沉积铜薄膜,并对得到的铜薄膜的性质进行表征与分析.通过比较研究发现:在沉积过程中,SAMs的末端基团作为铜沉积的反应位点,末端基团与铜之间的相互作用力越强,则铜在基材表面的沉积与附着能力越强,而且SAMs阻挡铜原子扩散进入硅内部的效果越好.而SAMs的生长取向也会对铜沉积时的晶型产生影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王琦	浙江大学化学系	59	547	13.0	22.0
2	刘铮铮	浙江大学化学系	4	57	2.0	4.0
3	刘鑫	浙江大学化学系	18	344	6.0	18.0
4	包杰琼	浙江大学化学系	1	5	1.0	1.0