开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究

• 作者: 施易军 王六定 陈景东
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开口碳纳米管 电子场发射 场增强因子
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 734-738
• 页数: 5页
• 分类号: TQ127
• 字数: 1848字
• 语种: 中文

摘要

利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1.结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关.特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王六定	西北工业大学理学院应用物理系	33	212	7.0	13.0
2	陈景东	西北工业大学理学院应用物理系	5	82	3.0	5.0
3	施易军	西北工业大学理学院应用物理系	4	79	3.0	4.0