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碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究
碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究
作者:
施易军
王六定
陈景东
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳纳米管
电荷分布
场增强因子
场发射
摘要:
本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14 h/R+2.62.结果表明:场增强因子是碳纳米管长径比h/R的线性函数,并与电荷分布密切相关.在此基础上,研究发现35%的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9.7%,但仍远大于镜像电荷的影响.根据模型中电荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化,解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密度不均匀的实验现象.
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文献信息
篇名
碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
碳纳米管
电荷分布
场增强因子
场发射
年,卷(期)
2008,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
407-410,426
页数
5页
分类号
TQ127
字数
2297字
语种
中文
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王六定
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人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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