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摘要:
本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14 h/R+2.62.结果表明:场增强因子是碳纳米管长径比h/R的线性函数,并与电荷分布密切相关.在此基础上,研究发现35%的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9.7%,但仍远大于镜像电荷的影响.根据模型中电荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化,解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密度不均匀的实验现象.
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文献信息
篇名 碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 碳纳米管 电荷分布 场增强因子 场发射
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 407-410,426
页数 5页 分类号 TQ127
字数 2297字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王六定 西北工业大学应用物理系 33 212 7.0 13.0
2 陈景东 西北工业大学应用物理系 5 82 3.0 5.0
3 施易军 西北工业大学应用物理系 4 79 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳纳米管
电荷分布
场增强因子
场发射
研究起点
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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