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摘要:
利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好c轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XRD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好。不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制。样品室温下的PL谱显示所有样品均出现UV发射和可见光区蓝绿光发射,而蓝绿光发射强度随氧压的增大而增强,表明样品的蓝绿光发射来源于样品中的受主缺陷。
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文献信息
篇名 PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究
来源期刊 材料导报:纳米与新材料专辑 学科 物理学
关键词 ZNO薄膜 PLD XRD PL谱
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 69-71
页数 3页 分类号 O484.1
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研究主题发展历程
节点文献
ZNO薄膜
PLD
XRD
PL谱
研究起点
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期刊影响力
材料导报:纳米与新材料专辑
半年刊
1005-023X
50-1078/TB
重庆市渝北区洪湖西路18号
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