双段式加热锗单晶生长设备的结构设计

• 作者: 原洛渭 高利强
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 锗单晶 双段式加热 单晶炉
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 本期专题(前道制造技术)
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN806.9
• 字数: 2997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.004

摘要

锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高利强		10	31	4.0	5.0
2	原洛渭		2	2	1.0	1.0