氨化法制备大量单晶Ga N纳米线及其特性研究

• 作者: 庄惠照 李红 杨兆柱 秦丽霞 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 氮化镓纳米线 钴 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1503字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射技术先在硅村底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线.采用X射线衍射(xRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在50 nm～150 nm范围内,长度为几十微米.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	陈金华	山东师范大学半导体研究所	11	19	2.0	3.0
4	秦丽霞	山东师范大学半导体研究所	10	19	2.0	3.0
5	李红	山东师范大学半导体研究所	29	57	4.0	5.0
6	杨兆柱	山东师范大学半导体研究所	12	23	2.0	3.0